IPB180N10S402ATMA1

Infineon Technologies

Prodotto No:

IPB180N10S402ATMA1

Produttore:

Pacchetto:

PG-TO263-7-3

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	14600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	200 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5mOhm @ 100A, 10V
Supplier Device Package	PG-TO263-7-3
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 275µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Series	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Power Dissipation (Max)	300W (Tc)
Package / Case	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	180A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	IPB180