IPB65R065C7ATMA2

Infineon Technologies

Prodotto No:

IPB65R065C7ATMA2

Produttore:

Pacchetto:

PG-TO263-3

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

MOSFET N-CH 650V 33A TO263-3

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3020 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	64 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	65mOhm @ 17.1A, 10V
Supplier Device Package	PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 200µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Series	CoolMOS™ C7
Power Dissipation (Max)	171W (Tc)
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	33A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	IPB65R065