IPB65R115CFD7AATMA1

Infineon Technologies

Prodotto No:

IPB65R115CFD7AATMA1

Produttore:

Pacchetto:

PG-TO263-3

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3

Quantità:

Consegna:

Pagamento:

In magazzino : 1000

Minimo: 1 Multipli: 1

Qty

Prezzo unitario

Prezzo Ext

Non è il prezzo che vuoi? Invia RdO ora e ti contatteremo al più presto.

Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1950 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	41 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	115mOhm @ 9.7A, 10V
Supplier Device Package	PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 490µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Series	CoolMOS™
Power Dissipation (Max)	114W (Tc)
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	21A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	IPB65R