IPD30N12S3L31ATMA1

Infineon Technologies

Prodotto No:

IPD30N12S3L31ATMA1

Produttore:

Pacchetto:

PG-TO252-3-11

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

MOSFET N-CHANNEL_100+

Quantità:

Consegna:

Pagamento:

In magazzino : 1077

Minimo: 1 Multipli: 1

Qty

Prezzo unitario

Prezzo Ext

Non è il prezzo che vuoi? Invia RdO ora e ti contatteremo al più presto.

Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1970 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	24 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	31mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package	PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 29µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	120 V
Series	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS®-T
Power Dissipation (Max)	57W
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	30A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	IPD30N12