IPD60R210CFD7ATMA1

Infineon Technologies

Prodotto No:

IPD60R210CFD7ATMA1

Produttore:

Pacchetto:

DPAK (TO-252)

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

MOSFET N CH

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1015 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	210mOhm @ 4.9A, 10V
Supplier Device Package	DPAK (TO-252)
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 240µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Series	CoolMOS™ CFD7
Power Dissipation (Max)	64W (Tc)
Package / Case	TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	12A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	IPD60R