IPD80R1K4P7ATMA1

Infineon Technologies

Prodotto No:

IPD80R1K4P7ATMA1

Produttore:

Pacchetto:

PG-TO252-2

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

MOSFET N-CH 800V 4A TO252

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	250 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Supplier Device Package	PG-TO252-2
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 700µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	800 V
Series	CoolMOS™
Power Dissipation (Max)	32W (Tc)
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	IPD80R1