IPD80R2K7C3AATMA1

Infineon Technologies

Prodotto No:

IPD80R2K7C3AATMA1

Produttore:

Pacchetto:

D-Pak

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

MOSFET N-CH TO252-3

Quantità:

Consegna:

Pagamento:

In magazzino : 4219

Minimo: 1 Multipli: 1

Qty

Prezzo unitario

Prezzo Ext

Non è il prezzo che vuoi? Invia RdO ora e ti contatteremo al più presto.

Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	290 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.5 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.7Ohm @ 1.2A, 10V
Supplier Device Package	D-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id	3.9V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	800 V
Series	Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
Power Dissipation (Max)	42W (Tc)
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	IPD80R2