IPDD60R105CFD7XTMA1

Infineon Technologies

Prodotto No:

IPDD60R105CFD7XTMA1

Produttore:

Pacchetto:

PG-HDSOP-10-1

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

MOSFET N-CH 600V 31A HDSOP-10

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1504 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	36 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	105mOhm @ 7.8A, 10V
Supplier Device Package	PG-HDSOP-10-1
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 390µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Series	CoolMOS™ CFD7
Power Dissipation (Max)	198W (Tc)
Package / Case	10-PowerSOP Module
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	31A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	IPDD60