IPN60R360PFD7SATMA1

Infineon Technologies

Prodotto No:

IPN60R360PFD7SATMA1

Produttore:

Pacchetto:

PG-SOT223-3-1

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

MOSFET N-CH 600V 10A SOT223

Quantità:

Consegna:

Pagamento:

In magazzino : 14401

Minimo: 1 Multipli: 1

Qty

Prezzo unitario

Prezzo Ext

Non è il prezzo che vuoi? Invia RdO ora e ti contatteremo al più presto.

Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	534 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12.7 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	360mOhm @ 2.9A, 10V
Supplier Device Package	PG-SOT223-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 140µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Series	CoolMOS™PFD7
Power Dissipation (Max)	7W (Tc)
Package / Case	TO-261-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	10A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	IPN60R