IPP60R160P7XKSA1

Infineon Technologies

Prodotto No:

IPP60R160P7XKSA1

Produttore:

Pacchetto:

PG-TO220-3-1

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

MOSFET N-CH 650V 20A TO220-3-1

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1317 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	31 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	160mOhm @ 6.3A, 10V
Supplier Device Package	PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 350µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Series	CoolMOS™ P7
Power Dissipation (Max)	81W (Tc)
Package / Case	TO-220-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	20A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	IPP60R160