IPS105N03LG

Infineon Technologies

Prodotto No:

IPS105N03LG

Produttore:

Pacchetto:

PG-TO251-3-11

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

N-CHANNEL POWER MOSFET

Quantità:

Consegna:

Pagamento:

In magazzino : 18615

Minimo: 1 Multipli: 1

Qty

Prezzo unitario

Prezzo Ext

Non è il prezzo che vuoi? Invia RdO ora e ti contatteremo al più presto.

Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1500 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.5mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package	PG-TO251-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	CoolMOS™
Power Dissipation (Max)	38W (Tc)
Package / Case	TO-251-3 Stub Leads, IPak
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	35A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Bulk