IPT65R105G7XTMA1

Infineon Technologies

Prodotto No:

IPT65R105G7XTMA1

Produttore:

Pacchetto:

PG-HSOF-8-2

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

MOSFET N-CH 650V 24A 8HSOF

Quantità:

Consegna:

Pagamento:

In magazzino : 16

Minimo: 1 Multipli: 1

Qty

Prezzo unitario

Prezzo Ext

Non è il prezzo che vuoi? Invia RdO ora e ti contatteremo al più presto.

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1670 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	35 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	105mOhm @ 8.9A, 10V
Supplier Device Package	PG-HSOF-8-2
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 440µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Series	CoolMOS™ C7
Power Dissipation (Max)	156W (Tc)
Package / Case	8-PowerSFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	24A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	IPT65R105