IPTC063N15NM5ATMA1

Infineon Technologies

Prodotto No:

IPTC063N15NM5ATMA1

Produttore:

Pacchetto:

PG-HDSOP-16-2

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

OPTIMOS 5 POWER MOSFET

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4800 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	63 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.3mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package	PG-HDSOP-16-2
Vgs(th) (Max) @ Id	4.6V @ 163µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	150 V
Series	OptiMOS™ 5
Power Dissipation (Max)	3.8W (Ta), 214W (Tc)
Package / Case	16-PowerSOP Module
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	16.2A (Ta), 122A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	8V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)