IPTG111N20NM3FDATMA1

Infineon Technologies

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PG-HSOG-8-1

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TRENCH >=100V PG-HSOG-8

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	7000 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	81 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.1mOhm @ 96A, 10V
Supplier Device Package	PG-HSOG-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 267µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	200 V
Series	OptiMOS™ 3
Power Dissipation (Max)	3.8W (Ta), 375W (Tc)
Package / Case	8-PowerSMD, Gull Wing
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	10.8A (Ta), 108A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	IPTG111N