IPW65R041CFDFKSA2

Infineon Technologies

Prodotto No:

IPW65R041CFDFKSA2

Produttore:

Pacchetto:

PG-TO247-3

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	8400 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	300 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	41mOhm @ 33.1A, 10V
Supplier Device Package	PG-TO247-3
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 3.3mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Series	CoolMOS™ CFD2
Power Dissipation (Max)	500W (Tc)
Package / Case	TO-247-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	68.5A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	IPW65R041