IRF200P222

Infineon Technologies

Prodotto No:

IRF200P222

Produttore:

Pacchetto:

TO-247AC

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

MOSFET N-CH 200V 182A TO247AC

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	9820 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	203 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.6mOhm @ 82A, 10V
Supplier Device Package	TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 270µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	200 V
Series	StrongIRFET™
Power Dissipation (Max)	556W (Tc)
Package / Case	TO-247-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	182A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	IRF200