IRF40R207

Infineon Technologies

Prodotto No:

IRF40R207

Produttore:

Pacchetto:

PG-TO252-3

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

MOSFET N-CH 40V 56A TO252

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2110 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	68 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.1mOhm @ 55A, 10V
Supplier Device Package	PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id	3.9V @ 50µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Series	HEXFET®, StrongIRFET™
Power Dissipation (Max)	83W (Tc)
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	56A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	IRF40R207