IRFH5210TRPBF

Infineon Technologies

Prodotto No:

IRFH5210TRPBF

Produttore:

Pacchetto:

8-PQFN (5x6)

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

MOSFET N-CH 100V 10A/55A 8PQFN

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2570 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	59 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14.9mOhm @ 33A, 10V
Supplier Device Package	8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 100µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Series	HEXFET®
Power Dissipation (Max)	3.6W (Ta), 104W (Tc)
Package / Case	8-PowerVDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	10A (Ta), 55A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	IRFH5210