IRFHM3911TRPBF

Infineon Technologies

Prodotto No:

IRFHM3911TRPBF

Produttore:

Pacchetto:

8-PQFN (3x3)

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

MOSFET N-CH 100V 3.2A/20A 8PQFN

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	760 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	26 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	115mOhm @ 6.3A, 10V
Supplier Device Package	8-PQFN (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 35µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Series	HEXFET®
Power Dissipation (Max)	2.8W (Ta), 29W (Tc)
Package / Case	8-PowerTDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3.2A (Ta), 20A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	IRFHM3911