IRFHM4226TRPBF

Infineon Technologies

Prodotto No:

IRFHM4226TRPBF

Produttore:

Pacchetto:

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

MOSFET N CH 25V 28A PQFN

Quantità:

Consegna:

Pagamento:

In magazzino : Si prega di richiesta

Si prega di inviare RdO, risponderemo immediatamente.

Nome del contatto

E-mail

Nome della società

Paese

Quantità

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2000 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	32 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.1V @ 50µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	25 V
Series	HEXFET®
Power Dissipation (Max)	2.7W (Ta), 39W (Tc)
Package / Case	8-TQFN Exposed Pad
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	28A (Ta)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)