ISC022N10NM6ATMA1

Infineon Technologies

Prodotto No:

ISC022N10NM6ATMA1

Produttore:

Pacchetto:

PG-TSON-8-3

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Descrizione:

TRENCH >=100V PG-TSON-8

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6880 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	91 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.24mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package	PG-TSON-8-3
Vgs(th) (Max) @ Id	3.3V @ 147µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Series	OptiMOS™ 6
Power Dissipation (Max)	3W (Ta), 254W (Tc)
Package / Case	8-PowerTDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	25A (Ta), 230A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	8V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	ISC022N