N0412N-S19-AY

Renesas Electronics America Inc

Prodotto No:

N0412N-S19-AY

Produttore:

Pacchetto:

TO-220

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

MOSFET N-CH 40V 100A TO220

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Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5550 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	100 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.7mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package	TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id	-
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	1.5W (Ta), 119W (Tc)
Package / Case	TO-220-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Renesas Electronics America Inc
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	100A (Ta)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	N0412N-S19