N0607N-ZK-E1-AY

Renesas Electronics America Inc

Prodotto No:

N0607N-ZK-E1-AY

Produttore:

Pacchetto:

TO-252

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Scheda tecnica:

Descrizione:

ABU / MOSFET

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Operating Temperature	150°C
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	58 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.4mOhm @ 32.5A, 10V
Supplier Device Package	TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	1W (Ta), 87.4W (Tc)
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Renesas Electronics America Inc
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	65A (Ta)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)