NP109N055PUK-E1-AY

Renesas Electronics America Inc

Prodotto No:

NP109N055PUK-E1-AY

Produttore:

Pacchetto:

TO-263

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

MOSFET N-CH 55V 110A TO263

Quantità:

Consegna:

Pagamento:

In magazzino : 1560

Minimo: 1 Multipli: 1

Qty

Prezzo unitario

Prezzo Ext

Non è il prezzo che vuoi? Invia RdO ora e ti contatteremo al più presto.

Operating Temperature	175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	11250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	189 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.2mOhm @ 55A, 10V
Supplier Device Package	TO-263
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	55 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	1.8W (Ta), 250W (Tc)
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Renesas Electronics America Inc
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	110A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	NP109N055