RQJ0303PGDQA#H6

Renesas Electronics America Inc

Prodotto No:

RQJ0303PGDQA#H6

Produttore:

Pacchetto:

3-MPAK

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

MOSFET P-CH 30V 3.3A 3MPAK

Quantità:

Consegna:

Pagamento:

In magazzino : Si prega di richiesta

Si prega di inviare RdO, risponderemo immediatamente.

Nome del contatto

E-mail

Nome della società

Paese

Quantità

Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	625 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Last Time Buy
Rds On (Max) @ Id, Vgs	68mOhm @ 1.6A, 10V
Supplier Device Package	3-MPAK
Vgs(th) (Max) @ Id	-
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	800mW (Ta)
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Renesas Electronics America Inc
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3.3A (Ta)
Vgs (Max)	+10V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	RQJ0303