UPA2732UT1A-E1-AY

Renesas Electronics America Inc

Prodotto No:

UPA2732UT1A-E1-AY

Produttore:

Pacchetto:

8-DFN3333 (3.3x3.3)

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

MOSFET P-CH 30V 40A 8DFN

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Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3280 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	133 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.7mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package	8-DFN3333 (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id	-
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	1.5W (Ta)
Package / Case	8-VDFN Exposed Pad
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Renesas Electronics America Inc
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	40A (Ta)
Package	Bulk