UPA2820T1S-E2-AT

Renesas Electronics America Inc

Prodotto No:

UPA2820T1S-E2-AT

Produttore:

Pacchetto:

8-HWSON (3.3x3.3)

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

MOSFET N-CH 30V 8HVSON

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Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2330 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	50 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.3mOhm @ 22A, 10V
Supplier Device Package	8-HWSON (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id	-
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	1.5W (Ta), 16W (Tc)
Package / Case	8-PowerWDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Renesas Electronics America Inc
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	22A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)